人工智能加速的演進，對存儲主控芯片廠商提出更高要求。在近日CFMS|MemoryS 2025中國存儲峰會期間，英韌科技CEO劉剛與技術副總裁陳杰博士接受證券時報記者采訪中，介紹了公司國產化適配進展以及海內外業(yè)務布局，并且表示公司通過高效算法演進和數據分層系統(tǒng)化等方式深化存儲主控芯片技術發(fā)展，加快布局AI新機遇。

全面適配國產生態(tài)

“我們與國內芯片封裝、測試廠商展開全面生態(tài)合作，并與鯤鵬、海光、飛騰等CPU廠商完成了產品適配認證?！?劉剛向記者表示，公司業(yè)績增長來自于消費級與企業(yè)級業(yè)務的雙輪驅動，其中，企業(yè)級業(yè)務全面適配國產長江存儲顆粒，在國產信創(chuàng)市場份額高速成長。

自2017年成立以來，英韌科技已推出10款主控芯片，產品覆蓋消費級、工業(yè)級和企業(yè)級存儲市場，近三年營收保持翻倍增長，并向存儲模組布局。在企業(yè)級SSD方面，公司已經從SATA到PCIe 5.0全棧覆蓋，單盤容量最高可達64TB，存儲解決方案適配國產服務器，相關產品已經部署在上海銀行、郵儲銀行數據中心。另外，公司推出多種形態(tài)的工業(yè)級方案產品，重點保障數據存儲的穩(wěn)定性和可靠性。

據了解，今年英韌科技將適配長江存儲Xtacking 4.0全新架構的3D NAND顆粒，推出新一代企業(yè)級SSD產品，重點攻克高密度存儲環(huán)境下的穩(wěn)定性難題。

針對消費級市場，英韌科技已于2021年推出了當時全市場唯一一顆八通道PCIe 4.0主控IG5236，可搭載DRAM方案，適合電競等高端應用場景。在本次大會上，英韌科技展示了旗下最新量產的固態(tài)硬盤主控產品IG5222，產品面向廣大消費級市場，支持TLC、QLC NAND閃存，最大容量可達8TB，能效比提升30%。

去年，英韌科技PCle 5.0主控芯片已經量產，明年將推出PCIe 6.0產品，全面支持AI時代數據中心對存儲設備的高帶寬（32GT/s）、低延遲及高密度部署需求，為高密度算力集群和實時數據處理場景提供可靠保障。

英韌科技也開展了全球化布局。公司消費級產品已經覆蓋30多個國家與地區(qū)市場，企業(yè)級產品通過直供跨國廠商，形成差異化出海模式。

“如果造芯片是一場馬拉松，我們是在以百米沖刺速度跑馬拉松?！眲傁蛴浾弑硎荆叭绻覀冊诩夹g上國際領先，那么海外一定有市場和應用場景。我們雖然立足于國內，但是一直放眼全球，我們會全力拓展國際市場，讓更多的中國產品和芯片出海。”

據介紹，在英韌科技的聯合創(chuàng)始人中，吳子寧博士和陳杰博士都曾經在Marvell長期工作，并且基于此前與海外客戶充分合作的經歷，公司技術團隊能力獲得認可，從而有機會在客戶研發(fā)層面達成早期合作，為公司進入海外市場奠定先天優(yōu)勢。

對于今年存儲市場，劉剛表示，在AI推動下，企業(yè)級存儲市場發(fā)展趨勢繼續(xù)向好。據預測，國內企業(yè)級市場年復合增長率將達到20%以上。

布局AI存儲

今年以來，以DeepSeek為代表的國產開源大模型應用的崛起也對存儲行業(yè)帶來重大影響。

“DeepSeek關鍵創(chuàng)新點是通過自己的算法優(yōu)化降低對高性能硬件的依賴，存儲從當前的HBM+DDR模式可以轉化為DDR+SSD的模式，這為存儲控制器廠商帶來了很大的機會?！标惤苤赋觯瑥膶崿F路徑上，高效算法和數據分層發(fā)揮重要作用，將原本需要有HBM+DDR模式的部分數據分流到DDR上，而SSD可以滿足高密度大容量存儲，同時保持數據處理的有效性和完整性。

具體來看，類似于DeepSeek創(chuàng)新性算法迭代，英韌科技盡量避免盲目堆砌算力，而是基于對芯片與存儲產品數據流的理解，采用其自主研發(fā)的“硬件加速引擎”架構開辟了差異化技術路徑，將加速模塊、算法和處理流程形成硬件模式。另外，在芯片設計過程中，英韌科技會通過對算法深層次理解進行優(yōu)化，降低芯片設計與實現難度，提升芯片可靠度。

隨著AI廣泛部署，也對高密度、高帶寬和低延遲的存儲提出更高需求。面對存儲大容量需求趨勢，英韌科技將于年內發(fā)布PCIe 5.0 SSD產品，其中，QLC產品的存儲容量可至64TB，后續(xù)產品規(guī)劃也會考慮128TB甚至到256TB。

與此同時，面臨性能與功耗的挑戰(zhàn)，陳杰指出，為了適應新一代存儲接口標準如PCIe 6.0，主控芯片的發(fā)展將邁向更先進的工藝節(jié)點，例如6納米甚至更進一步的技術。英韌科技也會考慮在適合的時候采用更先進的制程，從而實現更高能效比的芯片。